TSMC, 29일 대만 내 3나노 제품 양산 돌입… ‘탈(脫) 대만화’ 우려 종식?

입력 2022.12.26

글로벌 파운드리(반도체 위탁생산) 업계 1위인 대만 TSMC가 29일 대만 공장에서 3차원 구조의 핀펫(FinFET) 공정을 적용한 3nm(나노미터, 10억분의 1m) 제품 양산에 돌입한다.

25일(현지 시각) 경제일보를 비롯한 대만 언론에 따르면, TSMC는 오는 29일 남부 타이난의 남부과학단지 내 18 팹(FAB, 반도체 생산공장)에서 관련 기념행사를 개최하고 향후 계획 등을 설명할 계획이다.

해당 12인치(300mm) 웨이퍼 공장은 5nm 반도체를 양산해온 가운데 이번 5~9기 라인 공정에서 3nm 제품 양산을 시작할 것으로 알려졌다. 3nm 공정은 2023년부터 N3E 칩 제조 기술을 사용한 대량 생산에 나서 향상된 공정 수율로 효과적인 제품을 생산할 것으로 전망된다.

앞서 TSMC는 애리조나 1기 공정 팹에서 4nm 반도체 칩을 생산하고, 2기 공정 팹에서 3nm 반도체 칩을 생산할 예정이다. 두 팹에 투입된 투자 규모는 400억 달러(한화 약 51조 3,000억 원)에 이른다. 향후 TSMC의 두 번째 팹까지 완공될 경우 이들의 웨이퍼 연간 생산량은 60만 장을 초과할 것으로 분석된다.

TSMC가 이러한 행사를 개최하는 것을 두고 업계에선 ‘탈(脫) 대만화’ 우려를 불식시키기 위한 일환으로 풀이했다. 지난 7월 삼성전자가 세계 최초로 차세대 트랜지스터 구조인 GAA(Gate-All-Around) 기술을 적용해 파운드리 3nm 공정 제품 출하식이 이뤄진 지 6개월이 지난 반면, TSMC는 최근 해외 투자를 지속하며 생산 다각화를 모색하는 모습을 보였기 때문.

또한, TSMC가 2024년 독일 드레스덴에 22nm와 28nm 반도체 공장 착공에 나설 것이라는 언론 보도가 이어진 바 있다. 이에 대해 한 관계자는 TSMC가 독일에 공장을 설립할 경우, 향후 미국 피닉스 공장처럼 건설비용 과다 및 인재와 원자재 공급 등이 대만 현지와 같이 수월하진 않을 것이라고 내다봤다. 반면 TSMC 측은 어떠한 가능성도 배제하지 않지만, 현재 구체적인 계획은 없다는 입장을 전했다.

이와 같은 우려에 왕메이화 대만 경제부장(장관) 등 관계 당국의 고위 책임자가 나서 TSMC의 탈 대만화 우려를 직접 부인하기도 했다. 왕 부장은 지난달 3nm 이하 최신 반도체 공정을 대만에 잔류시키는 방침을 공표했으며, TSMC 역시 2025년 생산을 목표로 현재 개발 중인 2nm 첨단 반도체 공정을 대만 북부 신주 지역에 설치하겠다는 입장을 밝혔다.

한편, 지난 6일 미국 애리조나 TSMC 공장에서 개최된 장비 반입식에 조 바이든 미국 대통령을 비롯해 장중머우(모리스 창) TSMC 창업자 겸 전 회장, 팀 쿡 애플 최고경영자(CEO), 산제이 메로트라 마이크론 CEO, 젠슨 황 엔비디아 CEO 등 업계 핵심 인사들이 대거 참석한 바 있다.

이날 행사에서 바이든 대통령은 “애플은 그간 모든 최고급 반도체 부품을 해외에서 구입했으나, 이제 더 많은 공급망을 미국으로 가져올 수 있게 되었다. 이는 곧 ‘게임 체인저’가 될 가능성을 높이는 것”이라며, “이렇듯 미국이 강력한 공급망을 구축하면서 동맹국 및 파트너 국가의 동참도 기대할 수 있다.”라고 말했다.

출처:TSMC, 29일 대만 내 3나노 제품 양산 돌입… ‘탈(脫) 대만화’ 우려 종식? < AVING NOW < 산업 < 기사본문 – 에이빙(AVING)