![\"\"](\"https:\/\/ljdevice.com.tw\/wp-content\/uploads\/2021\/05\/IBM-Research-2-nm-Wafer_678x452-624x499-250x200.jpg\")
<\/p>\n07\/05\/2021<\/p>\n
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IBM vient de d\u00e9voiler son nouveau proc\u00e9d\u00e9 de gravure de puces \u00e9lectroniques en 2 nm, une premi\u00e8re mondiale. La firme promet des performances presque doubl\u00e9es par rapport aux processeurs actuels, ou des appareils avec une autonomie multipli\u00e9e par quatre.<\/p>\n
IBM<\/span><\/a>\u00a0vient de repousser les limites de l’\u00e9lectronique en annon\u00e7ant un proc\u00e9d\u00e9 de\u00a0gravure<\/span><\/a>\u00a0d’une finesse encore in\u00e9gal\u00e9e.\u00a0Ses nouvelles puces<\/span><\/a>, grav\u00e9es en seulement 2 nm, pourront contenir plus de transistors, ce qui permet d’en am\u00e9liorer les performances.<\/p>\n Cette avanc\u00e9e s’appuie sur une technologie de nanofeuilles d’IBM<\/span><\/a>, d\u00e9j\u00e0 utilis\u00e9e dans son proc\u00e9d\u00e9 en 5 nm, ainsi qu’un agencement GAA (Gate All Around<\/em>) qui place la grille (gate<\/em>) tout autour des transistors. Cela lui permet d’atteindre une densit\u00e9 de 333 millions de transistors par mm\u00b2 (MTr\/mm\u00b2), \u00e0 comparer \u00e0 91 et 95 MTr\/mm\u00b2 pour les processeurs en 7 nm chez TSMC et\u00a0Samsung<\/span><\/a>\u00a0respectivement, ou encore 292 MTr\/mm\u00b2 pour le tout nouveau proc\u00e9d\u00e9 en 3 nm chez TSMC. \u00c0 noter que la prochaine g\u00e9n\u00e9ration de puces d’Intel<\/span><\/a>\u00a0grav\u00e9s en 7 nm devraient tout de m\u00eame\u00a0atteindre 237 MTr\/mm\u00b2, ce qui montre que ce n’est pas uniquement la finesse de gravure qui d\u00e9termine la densit\u00e9 des transistors.<\/p>\n\n