سامسونج ستطلق إنتاج شرائح 3 نانومتر بكميات كبيرة العام المقبل

/في /بواسطة

يوليو 12, 2021

قام Samsung Foundry ، ثاني أكبر مسبك مستقل في العالم بعد TSMC ، بإجراء بعض التغييرات على عقدة المعالجة 3 نانومتر وفقًا لـ أناند تك. يُقال إن الشرائح الأولى من Samsung Foundry التي يتم إنتاجها باستخدام عملية 3nm ، 3GAE (3nm Gate-All-Around Early) ، سيتم تصنيعها بكميات كبيرة بعد عام من المعتاد. تمت إزالته أيضًا من خريطة طريق Samsung ، مما يشير إلى أنه يمكن إنتاج 3GAE للاستخدام الداخلي فقط.
قال أحد ممثلي سامسونج: “فيما يتعلق بعملية 3GAE ، لقد كنا في نقاش مع العملاء ونخطط لإنتاج كميات كبيرة من 3GAE في عام 2022”. خليفة 3GAE ، عقدة 3GAP (3nm Gate-All-Around Plus) لا تزال على خارطة الطريق حيث من المتوقع أن يبدأ تصنيع الحجم في عام 2023. تم الكشف عن خارطة الطريق المذكورة أعلاه في Foundry Forum 2021 في الصين. قدم Samsung Foundry خارطة طريق التكنولوجيا المحدثة التي أعيد نشرها لاحقًا على Baidu و Weibo.
أما بالنسبة للرقائق التي تستخدم بنية الترانزستور القديمة FinFET ، فقد أضافت سامسونج 5LPP و 4LPP إلى خارطة الطريق الخاصة بها مع التصنيع عالي الحجم المقرر لعامي 2021 و 2022 على التوالي. متي سامسونج كشفت النقاب عن عقدتي 3GAE و 3GAP في مايو 2019 ، وأعلنت أنها ستقدم زيادة بنسبة 35 ٪ في الأداء ، وتخفيض بنسبة 50 ٪ في استهلاك الطاقة مقارنة بـ 7LPP والتي تعد حاليًا عقدة عملية البناء السابقة.

في الوقت نفسه ، في عام 2019 ، تم الإعلان عن بدء الإنتاج الكمي باستخدام 3GAA (بنية ترانزستور شاملة للبوابة) في أواخر عام 2021. مع تاريخ الإطلاق الجديد لعام 2022 لعملية Gate-All-Around Early 3. نانومتر ، يمكن استنتاج أن هناك تأخيرًا طفيفًا من جانب Samsung أو خطأ في التقدير. في كلتا الحالتين ، لا يُنظر إلى هذا على أنه صفقة كبيرة لأن عقد Sammy’s Early لا تستخدم على نطاق واسع من قبل الشركات المصنعة.

قبل أيام قليلة فقط ، سجل Samsung Foundry شريحة 3 نانومتر تستخدم بنية الترانزستور Gate-All-Around (GAA). يعد تسجيل الشريحة بمثابة الفصل الأخير من دورة التصميم الخاصة بها ، مما يؤدي إلى إحدى نتيجتين: تصميم الشريحة يعمل أم لا. في الحالة الأخيرة ، قد يكون من الضروري إجراء تصحيح طفيف أو يلزم إجراء إصلاح شامل للتصميم.